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新聞資訊

2021-01-21

蘇大維格:環保3D光學轉移材料迅速增長

自公司第一款環保3D光學轉移材料投入市場后,因其生產過程中無溶劑排放、能耗低的優點完全符合國家綠色生產的要求,同時因其具有超高結構保真度,能夠實現50μm以內深度復雜結構的穩定批量生產,在印刷包裝行業引起眾多關注。

2021-01-21

再添榮譽 | 陳林森榮獲全國杰出工程師獎

12月30日,2020年(第四屆)杰出工程師獎獲獎名單在北京揭曉,經過63位評審專家(其中包括20位院士)認真評選,杰出工程師獎獎勵委員會審定,微納光制造領域科學家、蘇大維格董事長陳林森從全國近千名申請者中脫穎而出,榮膺第四屆全國杰出工程師獎。

2021-01-21

2020 實“鼠”不易,2021“?!鞭D乾坤—蘇大維格集團祝您元旦快樂?。ㄎ哪┯畜@喜)

我們告別極不平凡的2020,迎來了充滿希望的2021。新一輪科技革命和產業變革深入發展,顛覆性技術創新不斷涌現,重要領域產業變革正從導入期向拓展期轉變。新的一年,蘇大維格集團仍將以堅如磐石的信心、堅韌不拔的毅力、只爭朝夕的干勁,日積月累、久久為功,面向產業技術變革,協同產業鏈共同建長板、補短板,努力實現更多“從0到1、從1到N”的突破。

2020-12-08

蘇大維格亮相第十六屆證卡票簽安全技術展暨高峰論壇

在今天召開的第十六屆證卡票簽安全技術展暨高峰論壇上,蘇大維格集團總裁朱志堅先生就“3D光刻在高端防偽領域的應用展望”展開了精彩演講,為與會者揭秘了蘇大維格是如何基于多維超構表面的新算法、直寫光刻的創新手段以及微納壓印功能化和批量化等多重手段,實現產品從器件設計到結構圖形化、到批量復制、到材料功能化以及最終器件集成的全鏈條一體化設計與制造的全過程。

 

背光模組超薄導光板(膜)

熱壓印工藝將精密模具上微結構復制到光滑塑性板材或薄膜表面,微光學網點結構有效地將全內反射進入導光板(膜)光線導出表面。通過微結構優化中大尺寸導光板(膜),光線從接近正出射角度導出,亮度更高,更均勻。

 

大尺寸透明導電膜(模組)

“基于柔性納米壓印技術”的新型透明導電膜制造技術,采用micro-metal-mesh(M3)制程工藝,顛覆了精密電路需要蝕刻的傳統工藝,通過納米壓印和增材制造(選擇性生長),獲得大幅面高性能透明導電膜和自支撐透明導電材料

 

創新 + 資本+ 產業的官助民營新型研究院

蘇州蘇大維格科技集團股份有限公司

 

總部

蘇州市新昌路68號,蘇州工業園區(獨墅湖大道南側,與金堰路交叉口)
電話:+86-0512-6286 8882
傳真:+86-0512-6260 0602
郵箱:info@svgoptronics.com

最新公告

2019-04-08

蘇大維格喜獲2018年度江蘇省科學技術獎一等獎

蘇州蘇大維格科技集團股份有限公司(以下簡稱“公司”)于近日收到江蘇 省人民政府下發的《省政府關于 2018 年度江蘇省科學技術獎勵的決定》[蘇政發 (2019)22 號],公司獲得 2018 年度江蘇省科學技術獎一等獎。

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2019-01-09

項目介紹:面向微納3D形貌的紫外光刻直寫技術與設備

超薄化、輕量化意味著微納結構的運用。然而,大面積3D微納結構的設計與制造面臨巨大挑戰。首先,大面積3D微納結構涉及海量數據處理與設計。例如,一個超薄導光器件上的微透鏡有數千萬個以上;一件口徑10mm以上的超透鏡,含有數十億到數百億個數據單元;一幅大尺寸透明電路傳感器涉及數十Tb以上的數據量;大口徑薄膜成像透鏡涉及精確3D形貌,數據量會數量級增大;第二,將設計數據轉換成微納結構的途徑與效率。如何將這么龐大數據直接轉換成微納3D結構?不僅需要高速率海量數據并行處理、壓縮、傳輸與轉化技術,還需轉換系統的高精度、可調性與可靠性;第三,先進工藝技術保障。大面積襯底伴隨著不平整度遠大于光刻系統的焦深,因此,必須解決襯底不平整性對微結構分辨率和保真度的影響,解決與成像焦深的矛盾,才能實現高保真3D微結構的高效率制備。

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2019-01-09

項目介紹:光場調控的納米光刻設備NanoCrystal200

研究表明,微納尺度界面與光電子相互作用產生的效應,是設計超材料、超表面的新途徑。微納結構制造技術是實現薄膜成像、透明導電、電磁隱身等技術基礎。由于3D 形貌及其排列精度對光子材料與器件的特性有極其重要的影響,因而,在大面積襯底上實現納米精度的微納結構的高效制備,一直是國際關注的重大共性難題。

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2019-01-09

項目介紹:微納3D打印/光刻技術與設備

在微結構打印方案中,已有的3D打印技術存在諸多限制,未有效解決器件尺寸與精度之間的矛盾、也存在3D結構打印保真度與可靠性不協調的難題。1、利用超快激光的“雙光子效應”的3D打印,分辨率可達0.1微米,但串行寫入模式,效率極低、對環境穩定性要求極高,打印尺寸一般小于300微米。由于耗時太長,所以,可靠性降低;受制于非線性材料特性和處理工藝,打印一致性很難保障;2、光固化3D打?。⊿LA),利用膠槽供膠與DLP投影光逐層打印的方法,打印的特征尺寸一般大于50微米,受投影比例限制,打印面積數毫米。由于累積曝光效應,對膠槽中光固化膠的吸收特性有嚴格要求,易導致打印的結構展寬,尤其對大深寬比微結構的打印,失真嚴重。

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